Từ năm đầu tiên bóng đá tỷ lệ 5G đến vượt quá 5G 5G
sự phát triển hiện tại bóng đá tỷ lệ GaN Hemts tiếp tục phát triển
Những thách thức để tăng đường kính bóng đá tỷ lệ các gói và các gói giảm kích thước
Nhiều chip có thể được cắt ra từ một wafer đường kính lớn. Một trong những chủ đề quan trọng trong giai đoạn ban đầu bóng đá tỷ lệ sản xuất hàng loạt là giảm chi phí bằng cách tăng đường kính wafer. Sản xuất hàng loạt GaN Hemts bắt đầu sử dụng wafer hai inch. Việc sản xuất sử dụng wafer ba inch đã đạt được vào năm 2007 và sản xuất sử dụng wafer bốn inch đã đạt được trong năm 2011. Xử lý wafer liên quan đến khoảng 100 quy trình và thay đổi đường kính wafer có nghĩa là toàn bộ việc sắp xếp lại thiết bị và vật liệu. Để tối ưu hóa quá trình sản xuất, các vấn đề đã được giải quyết từng cái một. Hitoshi Haematsu, người hiện đang làm việc trong bộ phận kỹ thuật sản xuất thiết bị bóng đá tỷ lệ Sedi, là một trong những thành viên làm việc trong thử thách.
Xử lý Wafer Wafer bao gồm một quy trình bề mặt phía trước để tạo thành các điện cực và một quá trình bề mặt phía sau thành các tấm wafer mỏng và cắt chúng thành chip. Một nhà sản xuất máy nghiền bề mặt trở lại và phát triển một công nghệ mài sáng tạo.
Những nỗ lực cũng được thực hiện để thu hẹp các gói để phù hợp với chip GaN Hemt. Norihiro Yoshimura, người hiện đang làm việc trong Bộ phát triển thiết bị điện tử, #1 bóng đá tỷ lệ Sedi, là một trong những thành viên phụ trách.
Hồi Chúng tôi phải đáp ứng các yêu cầu về chi phí bóng đá tỷ lệ khách hàng. Đây là một yếu tố quan trọng để đánh bại các bóng bán dẫn SI-LDMOS. Việc giảm quy mô bóng đá tỷ lệ các gói được dịch trực tiếp thành giảm chi phí.
Tiêu thụ điện năng thấp bóng đá tỷ lệ GaN Hemts cũng giúp giảm chi phí cho các trạm cơ sở. Gan Hemts đã dần được chấp nhận trên thị trường. Các nhà mạng truyền thông sử dụng GaN Hemts đã ca ngợi các đặc điểm như sản lượng cao, truyền tốc độ cao và mức tiêu thụ năng lượng thấp, và sự công nhận bóng đá tỷ lệ thị trường. Gan Hemts bắt đầu được biết đến với cái tên các thiết bị quái vật. Gan Hemts đã được thị trường chấp nhận nhanh chóng khi giao thức truyền thông chuyển từ 3G sang 4G và băng thông tần số cần thiết được mở rộng với sự ra đời bóng đá tỷ lệ thời đại giao tiếp tốc độ cao và công suất lớn. Đáng chú ý là Gan Hemts đã đóng góp vào việc thu hẹp các trạm cơ sở. Tiêu thụ năng lượng bóng đá tỷ lệ GaN Hemts là thấp, đạt được sự tạo nhiệt thấp và loại bỏ sự cần thiết bóng đá tỷ lệ quạt làm mát không khí và các thành phần khác. Điều này đã giúp giảm kích thước và trọng lượng bóng đá tỷ lệ các trạm cơ sở, làm cho việc cài đặt hoạt động dễ dàng và mở rộng các khu vực có thể cài đặt. Số lượng các trạm cơ sở nhỏ, được gọi là đầu radio từ xa, tăng mạnh. Gan Hemts cũng được sử dụng cho các máy phát phát sóng kỹ thuật số trên mặt đất và đài phát sóng Skytree. Vào năm 2013, doanh số bóng đá tỷ lệ GaN Hemts tăng vọt phù hợp với nhu cầu ngày càng tăng bên ngoài Nhật Bản. Vào năm 2014, Sedi đã giành giải thưởng Bộ trưởng Bộ Giáo dục, Văn hóa, Thể thao, Khoa học và Công nghệ tại Giải thưởng Quản lý và Đổi mới Công nghệ cho các thành tựu khác nhau trong lĩnh vực viễn thông.
Mở rộng thị phần toàn cầu bóng đá tỷ lệ GaN Hemts
Năm 2020 được coi là năm đầu tiên bóng đá tỷ lệ 5G. Đã có một sự cạnh tranh khốc liệt trên thị trường giữa GaN Hemts và Si-Ldmoss là bóng bán dẫn cho các trạm cơ sở. Sedi có thị phần hàng đầu trong GaN Hemts cho các trạm cơ sở, và năm 2019, doanh số bóng đá tỷ lệ nó gần với nhà cung cấp hàng đầu bóng đá tỷ lệ SI-LDMOSS. Doanh số bóng đá tỷ lệ GaN Hemts đã rất mạnh, nhưng tình hình không cho phép một triển vọng lạc quan. Các nhà sản xuất SI-LDMOS toàn cầu đã chuẩn bị loại bỏ Sedi khỏi bàn trước khi Gan Hemts trở thành chủ đạo. Để đảm bảo sự khác biệt, cần phải cải thiện GaN Hemts. Isao Makabe, người làm việc trong Phòng Thiết bị Electron bóng đá tỷ lệ Phòng thí nghiệm Thiết bị truyền tải bóng đá tỷ lệ Sumitomo Electric Industries, Ltd. là một trong những thành viên phụ trách. Ông đang tham gia vào sự phát triển bóng đá tỷ lệ công nghệ tăng trưởng tinh thể màng mỏng, đây là công nghệ cốt lõi cho GaN Hemts.
Sự co lại bóng đá tỷ lệ Die đã được tăng tốc thêm cho các thiết bị tần số cao từ 5g và hơn thế nữa. Điều quan trọng là phát triển các tinh thể phù hợp với cấu trúc. Để theo đuổi các tinh thể GaN Hemt mới, đáp ứng các đặc điểm, năng suất đại chúng và lợi thế chi phí, ông nói, Makabe.
Ken Kikuchi từ Phòng thí nghiệm Thiết bị truyền tải 5G-Radio chịu trách nhiệm phân tích hoạt động và mô hình hóa chip GaN Hemt.
Hồi Các yêu cầu bóng đá tỷ lệ thiết bị khác nhau tùy thuộc vào khách hàng và ứng dụng. Tôi chịu trách nhiệm xác định các rủi ro và vấn đề tiềm ẩn trong quá trình vận hành thực tế bóng đá tỷ lệ các thiết bị tại các trạm cơ sở và đưa ra phản hồi cho nhóm phát triển. Tăng tốc sự phát triển bóng đá tỷ lệ thiết bị, Kikuchi nói.
Cùng với những nỗ lực này, công nghệ xử lý wafer đã được phát triển, được giám sát bởi Inoue.
Thích ứng bóng đá tỷ lệ GaN hemts với dải tần số cao đòi hỏi quá trình co lại. Ví dụ, các điện cực phải được chế tạo theo thứ tự bóng đá tỷ lệ nanomet, chúng ta đang phát triển năng lượng cao. Hàng rào.
