tỷ lệ bóng đá trực tuyến 7m cn30 tháng 5 năm 2025

Sumitomo Electric và Osaka Metropolitan University chế tạo thành công GAN-HEMT trên chất nền kim cương đa tinh thể 2 inch, tăng cường công suất và giảm mức tiêu thụ điện năng cho các thiết bị truyền tỷ lệ bóng đá trực tuyến 7m cn cốt lõi

tỷ lệ bóng đá trực tuyến 7m cn Industries, Ltd.
Đại học đô thị Osaka

tỷ lệ bóng đá trực tuyến 7m cn Industries, Ltd. và Osaka Metropolitan University (Địa điểm: Tỉnh Osaka; Chủ tịch một dự án nghiên cứu chung* với Cơ quan Khoa học và Công nghệ Nhật Bản (JST). Công nghệ này là một bước quan trọng để đạt được công suất cao hơn và mức tiêu thụ năng lượng của các thiết bị cốt lõi trong giao tiếp di động và vệ tinh.

tỷ lệ bóng đá trực tuyến 7m cn and Osaka Metropolitan University Successfully Fabricate GaN-HEMT on 2-Inch Polycrystalline Diamond Substrate, Enhancing Capacity and Reducing Power Consumption for Core Communication Devices

Cấu trúc GAN-HEMT cho thiết bị tần số cao trên chất nền kim cương đa tinh thể đường kính 2 inch

Comparison of heat dissipation of GaN-HEMTs fabricated on Si, SiC, and diamond (indicatỷ lệ bóng đá trực tuyến 7m cng that a smaller rise in temperature for the same applied power corresponds to better heat dissipation)

Comparison of heat dissipation of GaN-HEMTs fabricated on Si, SiC, and diamond (indicating that a smaller rise in temperature for the same applied power corresponds to better heat dissipation)

Trong những năm gần đây, khi khối lượng tỷ lệ bóng đá trực tuyến 7m cn tin trong truyền tỷ lệ bóng đá trực tuyến 7m cn không dây đã tăng lên, đã có nhu cầu về tần số cao hơn và công suất đầu ra cao hơn trong các thiết bị tần số cao như GAN-HEMTS. Tuy nhiên, việc tự làm nóng xảy ra trong quá trình hoạt động giới hạn công suất đầu ra của thiết bị, dẫn đến lỗi truyền tín hiệu và các vấn đề khác làm giảm hiệu suất và độ tin cậy của truyền tỷ lệ bóng đá trực tuyến 7m cn. Để giải quyết các vấn đề này, OMU đã cải thiện thành công các đặc tính tản nhiệt bằng cách sử dụng kim cương, có độ dẫn nhiệt cực cao, làm chất nền cho GaN-HEMTS.
Generally, silicon (Si) and silicon carbide (SiC) are used as substrates for GaN-HEMTs, but the thermal conductivity of diamond is about 12 times higher than that of Si and 4 to 6 times higher than that of SiC, so using diamond as a substrate can reduce thermal resistance by a quarter and half, respectively.

Trước đây, liên kết trực tiếp với các lớp GaN mà không cần hàn hoặc vật liệu liên kết là khó khăn do kích thước hạt lớn và độ nhám bề mặt kém (5 Nott6nm) của kim cương đa tinh thể. Tuy nhiên, Sumitomo Electric đã thành công trong việc liên kết trực tiếp một lớp GaN với chất nền kim cương đa tinh thể 2 inch bằng cách tận dụng công nghệ đánh bóng chất nền kim cương của nó để giảm độ nhám bề mặt xuống một nửa mức độ tỷ lệ bóng đá trực tuyến 7m cn thường và bằng cách tích hợp công nghệ OMU, để chuyển lớp GaN từ đế SI lên chất nền. CONSEQUNLY, chúng tôi đã chứng minh cấu trúc GaN trên kim cương đa tinh thể và các đặc tính tản nhiệt đồng đều của nó. Lớp GaN được sử dụng trong nghiên cứu này được cung cấp bởi Air Water Inc. như một lớp epiticular GaN/sic trên đế SI.

Cấu trúc GAN-HEMT cho thiết bị tần số cao trên chất nền tỷ lệ bóng đá trực tuyến 7m cn cương đa tinh thể đường kính 2 inch

Trong tương lai, chúng tôi sẽ phát triển hiệu suất của thiết bị và tối ưu hóa các điều kiện liên kết bằng cách sử dụng các chất nền 4 inch nhằm mục đích sản xuất hàng loạt, trong khi tăng tốc quá trình.

Công nghệ thuộc sở hữu của mỗi tổ chức
OMU
Công nghệ chuyển các lớp epiticular GaN/sic được phát triển trong chất nền SI sang chất nền kim cương để chế tạo các thiết bị GAN-HEMT

tỷ lệ bóng đá trực tuyến 7m cn
Công nghệ sản xuất và đánh bóng cho các chất nền kim cương đa tinh thể lớn đã được sử dụng trong vật liệu tản nhiệt và các sản phẩm công cụ như tản nhiệt và dụng cụ liên kết

Công việc này được hỗ trợ bởi chương trình chuyển giao công nghệ thích ứng và liền mạch tỷ lệ bóng đá trực tuyến 7m cn qua R & D điều khiển mục tiêu (A-bước) từ Cơ quan Khoa học và Công nghệ Nhật Bản (JST) Số Grant JPMJTR222B.