tỷ lệ bóng đá trực tuyến 7m cn30 tháng 5 năm 2025

Sumitomo Electric và Osaka Metropolitan University chế tạo thành công Gan-Hemt trên chất nền kim cương đa tinh thể 2 inch, tăng cường khả năng và giảm mức tiêu thụ năng lượng cho các thiết bị truyền tỷ lệ bóng đá trực tuyến 7m cn cốt lõi

tỷ lệ tỷ lệ bóng đá trực tuyến 7m cn đá Sản phẩm & Công nghệ

tỷ lệ bóng đá trực tuyến 7m cn Industries, Ltd.
Đại học đô thị Osaka

tỷ lệ bóng đá trực tuyến 7m cn Industries, Ltd. và Osaka Metropolitan University (Địa điểm: Tỉnh Osaka; Chủ tịch: Hiroyuki Sakuragi; Dự án nghiên cứu chung* với Cơ quan Khoa học và Công nghệ Nhật Bản (JST). Công nghệ này là một bước quan trọng để đạt được công suất cao hơn và mức tiêu thụ năng lượng của các thiết bị cốt lõi trong giao tiếp di động và vệ tinh.

Sumitomo Electric và Osaka Metropolitan University chế tạo thành công GAN-HEMT trên chất nền kim cương đa tinh thể 2 inch, tăng cường công suất và giảm mức tiêu thụ điện năng cho các thiết bị truyền tỷ lệ bóng đá trực tuyến 7m cn tuyến 7m cn cốt lõi

tỷ lệ bóng đá trực tuyến 7m cn tuyến 7m cn and Osaka Metropolitan University Successfully Fabricate GaN-HEMT on 2-Inch Polycrystalline Diamond Substrate, Enhancing Capacity and Reducing Power Consumption for Core Communication Devices

Cấu trúc GAN-HEMT cho thiết bị tần số cao trên chất nền kim cương đa tinh thể đường kính 2 inch

Comparison of heat dissipation of GaN-HEMTs fabricated on Si, SiC, and diamond (indicating that a smaller rise in temperature for the same applied power corresponds to better heat dissipation)

In recent years, as the volume of information in wireless communications has increased, there has been a demand for higher frequencies and higher output powers in high-frequency devices such as GaN-HEMTs. However, the self-heating that occurs during operation limits the devices’ output power, resulting in signal transmission failures and other problems that reduce the performance and reliability of communications. To address these issues, OMU has successfully improved heat dissipation characteristics by utilizing diamond, which has extremely high thermal conductivity, as a substrate for GaN-HEMTs.
Nói chung, silicon (SI) và silicon cacbua (sic) được sử dụng làm chất nền cho gan-hemts, nhưng độ dẫn nhiệt của kim cương cao hơn khoảng 12 lần so với Si và 6 lần

Trước đây, liên kết trực tiếp với các lớp GaN mà không cần hàn hoặc vật liệu liên kết là khó khăn do kích thước hạt lớn và độ nhám bề mặt kém (5 Nott6nm) của kim cương đa tinh thể. Tuy nhiên, Sumitomo Electric đã thành công trong việc liên kết trực tiếp một lớp GaN với chất nền kim cương đa tinh thể 2 inch bằng cách tận dụng công nghệ đánh bóng chất nền kim cương của nó để giảm độ nhám bề mặt xuống một nửa mức độ tỷ lệ bóng đá trực tuyến 7m cn thường và bằng cách tích hợp công nghệ OMU, để chuyển lớp GaN từ đế SI lên chất nền. CONSEQUNLY, chúng tôi đã chứng minh cấu trúc GaN trên kim cương đa tinh thể và các đặc tính tản nhiệt đồng đều của nó. Lớp GaN được sử dụng trong nghiên cứu này được cung cấp bởi Air Water Inc. như một lớp epiticular GaN/sic trên đế SI.

Cấu trúc GAN-HEMT cho thiết bị tần số cao trên chất nền tỷ lệ bóng đá trực tuyến 7m cn tuyến 7m cn cương đa tinh thể đường kính 2 inch

Trong tương lai, chúng tôi sẽ phát triển hiệu suất của thiết bị và tối ưu hóa các điều kiện liên kết bằng cách sử dụng chất nền 4 inch nhằm mục đích sản xuất hàng loạt, đồng thời tăng tốc quá trình.

Công nghệ thuộc sở hữu của mỗi tổ chức
OMU
The technology to transfer GaN/SiC epitaxial layers grown in Si substrates to diamond substrates to fabricate GaN-HEMT devices

tỷ lệ bóng đá trực tuyến 7m cn
Công nghệ sản xuất và đánh tỷ lệ bóng đá trực tuyến 7m cn cho các chất nền kim cương đa tinh thể lớn đã được sử dụng trong các vật liệu phân tán nhiệt và các sản phẩm công cụ như tản nhiệt và dụng cụ liên kết

Công việc này được hỗ trợ bởi chương trình chuyển giao công nghệ thích ứng và liền mạch tỷ lệ bóng đá trực tuyến 7m cn qua R & D điều khiển mục tiêu (A-bước) từ Cơ quan Khoa học và Công nghệ Nhật Bản (JST) Số cấp JPMJTR222B.